【摘要】 <正> 由于a-Si∶H 薄膜的电子学性质亚稳性在应用方面的重要性,近年来人们对有关电导率、光致发光、电子自旋共振、隙态、掺杂和器件性能等进行了多方面的研究.最近章佩娴等又报道了射频溅射样品在红外区三个氢相关振动模(2000cm^-1,850cm^-1,600cm^-1)光诱导吸收系数变化现象.这一结果对a-Si∶H样品电子学性质亚稳性的进一步研究具有深刻意义,因为它确定地给出一个与具体原子运动相联系的直观模型.基于这一认识,我们对辉光放电样品进行了较为严格细致的有关探讨.本文报道对光诱导光电导可逆变化和红外吸收测量的具体结果.更多还原

【Abstract】 The photo-induced reversible changes of photoconductivity and related infraredabsorption spectra are reported for the glow discharge a-si:H films.The experimen-tal results show that any infrared absorption ehange due to the intensive illuminationor annealing does not take place in the films,and the photo-induced reversible changesof photoconductivity are clearly observed.更多还原