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新的InP位错腐蚀剂

Some New Dislocation Etchants for InP

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【作者】 王兢夏平

【Author】 Wang Jing/Jilin UniversityXia Ping/Jilin University

【机构】 吉林大学电子科学系吉林大学电子科学系

【摘要】 报道了几种腐蚀InP(100)面位错的新的化学腐蚀剂:HBr,HCl:HBr及 H2SO4:HBr.腐蚀坑的形状为倒锥形.将以上几种新腐蚀剂在InP(100)面上的腐蚀坑分别与Huber腐蚀剂的位错腐蚀坑作了比较.

【Abstract】 Some new dislocation etchants for In P are reported including HBr, HCl:HBrand H2SO4:HBr.These etchants produce distinct pyramidal pits on the (100) surface,and are compared with Huber etchant.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1985年01期
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