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MOS界面态参数测量的复电容方法

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【摘要】本文叙述了用测量MOS复电容方法研究界面陷阱的性质.这一方法是基于用锁相放大技术对器件的复电容（电容的实部和虚部）的直接测量来提取界面陷阱的态密度D_it（E）和俘获截面σ（E）.这一方法可测损耗角达5×10^-3,所以具有较高的灵敏度,对典型掺杂浓度的MOS器件,可测界面态密度为10⁹/cm²·eV.更多还原

【关键词】界面态密度； MOS；放大技术；损耗角；锁相；俘获截面；表面势；平面工艺；能带弯曲；禁带；

【文献出处】半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1985年06期

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