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含氢非晶硅(a-Si:H)用于台面型硅变容管的钝化保护

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【摘要】 <正>本文报道了用含氢非晶硅作为台面型硅变容管钝化新方法.这种方法采用SuO2+α-SiH双层钝化膜结构.在α-Si:H淀积过程中,严格掌握衬底温度,采用相应的退火条件,以确保钝化膜的必要的稳定性.这种钝化方法能明显地降低反向漏电流,比单层SiO2钝化可使器件成品率提高一倍左右.器件经过高温、潮湿、高温电老化、常温存放等环境试验,显示了具有高可靠性与稳定性.本文对于用SiO2+α-Si:H的钝化机理也作了初步的探讨.

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1985年04期
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