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一种新的压敏效应—汞-硅肖特基势垒的压容效应的研究

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【作者】 李运辉

【机构】 江西大学物理系

【摘要】 <正>半导体压敏器件由于具有灵敏度高、结构小巧及使用方便等特点,在传感技术中得到了广泛的应用.半导体压敏器件的研究随着电子技术的发展,显得愈来愈重要.新器件的开发和研究是这方面的重要课题.本文提出了一种新的压敏效应——汞-硅接触形成的肖特基势垒的压容效应.根据这种效应可以研制出一种新型的压敏器件——汞-硅压敏二极管.作者从实验中发现在微小压力作用下,汞-硅肖特基势垒的势垒电容都发生了显著的变

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1985年01期
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