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对锗单晶二次缺陷的初步探讨

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【作者】 罗志华； 虞君耐； 冯骏； 薛汉臣； 蔡熔；

【机构】 上海冶炼厂； 上海冶炼厂；

【摘要】 <正> 随着硅器件性能的不断提高,尤其在硅平面工艺出现之后,硅器件已经在很大应用领域内取代了锗器件。目前,锗被取代的趋势仍在继续。为了充分利用我国丰富的锗资源,发扬锗器件在高频性能和作音响器件等

【关键词】 二次缺陷； 锗单晶； 高频性能； 平面工艺； 半导体材料； 热应力； 圆片； 击穿电压； 扩散工艺； 烧结工艺；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1984年03期
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