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HCD枪平行场偏转极的数学物理分析及电算模拟

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【作者】 张树林

【机构】 东北工学院

【摘要】 序言 当前在国内外真空镀膜和真空冶金等领域,广泛应用偏转磁场和电场相垂直的HCD枪(正交场枪),其结构复杂、枪体大、操作也不方便。 近来新出现一种偏转磁场和电场相平行的HCD枪(平行场枪),结构简单、性能稳定、调试方便。作者已在《真空》1983年第3期中,首次提出用HCD枪的空心阴极和辅助阳极本身所固有的静电浸没透镜效应,代替外加磁聚焦极的理论根据,实践表明是合理的,因而大大简化了枪的结构。基于上述内容,本文继续沿枪的电子光路系统,专就“平行场枪”的偏转极和坩埚聚焦极磁场间的矢量迭加关系进行了理论分析和计算;并用电子计算机模拟出在不同参量下的电子运动轨迹,进而得出七点结论供设计HCD枪时参考。

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