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无位错区熔Si单晶中的微缺陷对正电子寿命的影响

EFFECT OF MICRODEFECTS IN DISLOCATION-FREE FLOAT-ZONE SINGLE CRYSTAL SI ON POSITRON LIFETIMES

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【作者】 邱万川； 王少阶； 罗守礼； 郭云英； 王荣敏； 何元金；

【Author】 Qiu Wan-chuan Wang Shao-jie Department of Physics,Wuhan UniversityLuo Shou-li Guo Yen-ying Wang Ruong-min General Research Institute of Non-ferrous MetalsHe Yuan-jin Department of Physics,Qinghua University

【机构】 武汉大学物理系； 武汉大学物理系； 有色金属研究总院； 清华大学物理系；

【摘要】 <正> 正电子对固体中电子的密度和动量分布很敏感。研究正电子在固体中的湮没辐射谱,可以获得有关固体中缺陷态的电子结构的信息。目前用正电子谱学来研究半导体中的缺陷的工作主要是研究辐照诱生缺陷。无位错Si中的原生微缺陷对Si器件性能影响很大。用缀饰、X射线貌相及电子显微镜等常规方法观察,发现无位错Si中至少有三种微缺陷,即带状分布的A型及B型漩涡缺陷、非带状分布A型与B型缺陷(D缺陷)、以及更细微的第三种缺陷。但至今尚不能肯定的是:在热平衡条件下Si中,本征点缺陷,究竟是空位还是自间隙原子。对第三种缺陷,有人认为是空位团,而对空位团的性质则了解得非常少,因为它们还没有用电镜等方法直接观测到。文献一方面论证了第三种缺陷具有空位的某

【关键词】 空位团； 区熔； Si； 漩涡缺陷； 微缺陷； 热平衡条件； 器件性能； 间隙原子； 电子谱学； 带状分布；
【基金】 中国科学院科学基金
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