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GaP(N,Te,Zn)的静压光致荧光研究

A STUDY OF PHOTOLUMINESCENCE OF GaP(N,Te,Zn) UNDER HIGH PRESSURES

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【作者】 赵学恕李国华韩和相汪兆平唐汝明胡静竹

【Author】 ZHAO XUE-SHU LI GUO-HUA HAN HE-XIANG WANG ZHAO-PING (Institute of Semiconductors, Academia Sinica)TANG RU-MING HU TING-ZHU (Institute of Physics, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院半导体研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所

【摘要】 对GaP(N,Te,Zn)样品做了77K的静压光致荧光研究。得到了N,NN1,NN3束缚激子能级的压力系数,以及施主Te和中性施主Te的束缚激子能级的压力系数。讨论了这些能级随压力的变化行为,并首次观察到Gap中自由激子的零声子发射。

【Abstract】 The photoluminescences of GaP (N, Te, Zn) at 77 K have been studied under high pressures. The pressure coefficients of donor Te and exciton levels bound to N, NN1, NN3, and neutral donor Te have been obtained. The pressure behaviors of these levels have been discussed. The zero-phonon line of free excitons in GaP is observed for the first time.

  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1984年04期
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