节点文献

GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 鲍忠兴； 张芝婷； 俞汀南；

【机构】 中国科学院物理研究所； 中国科学院物理研究所 北京； 北京； 北京；

【摘要】 <正> 一、引言 近些年来,第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半导体转变成金属的研究已引起人们很大的兴趣。在1973年,Van Vechten根据电负性的量子电介质理论计算了一些第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物的P-T相图。在这前后,人们已在几种不同类型的高压装置上,采用不同的测量方法观测到一些具有共价键的第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半

【关键词】 金属化； GaP； Ge； Si； 高压装置； 金刚石压砧； 电阻测量； 测量方法； 弹簧支座； 叶蜡石；
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1984年14期
  • 【被引频次】11
  • 【下载频次】100
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)