注磷InSb的光学性质

【摘要】 <正> 本文用光学方法对注磷InSb进行了研究,所采用的实验技术包括:（1）光子能量低于能带间隙的光吸收;（2）电反射光谱。用于实验测量的InSb晶体用切克劳斯基方法生长,所有样品为N型,纯度较高,晶向为〈111〉。它们经过研磨、机械抛光和化学机械抛光,最后经过化学腐蚀,获得高质量的光学表面。注磷的能量为200keV,剂量为10¹²～10¹⁴cm^-2,InSb的温度为室温。光吸收和电更多还原