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用喇曼光谱术研究注硼硅片的损伤分布

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【摘要】 <正> 实验用的原始单晶硅片取向[111],电阻率约10Ω-cm,在室温下以7°倾角注B⁺,离子束流10 μA,能量60keV,注入剂量7×10¹⁵cm^-2。每块样品一半为离子注入区,一半为非注入单晶区。把每块样品各在乙二醇+硝酸盐+水的溶液中阳极氧化不同时间,长出不同厚度的二氧化硅层,并用椭圆偏振仪测出二氧化硅膜厚度,然后用氢氟酸除去二氧化硅膜,乘更多还原

【关键词】光谱术；喇曼；偏振仪；单晶硅片；硼硅；角注；阳极氧化；椭圆偏振；注入剂量；膜厚度；

【文献出处】红外研究 , 编辑部邮箱 ,1984年04期

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