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论掺铜GaAs中受主络合物和束缚激子

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【机构】中国科学院半导体研究所；瑞典Linkping大学物理和测量技术系；瑞典Linkping大学物理和测量技术系；

【摘要】 <正> 本文对不同条件下扩铜HB、SI-LEC体GaAs和VPE、LPE-GaAs样品与铜相关的光致发光谱（1.36 eVPL带,束缚激子Co（1.5026eV）和F₀（1.4832eV）等）的行为进行了全面、系统的研究,并对前人的结果做了评述。首次报道了扩铜条件及其扩铜后的淬火过程和热处理条件对PL谱线的影响,其主要结果如下:（1）在Ga-GaAs溶液中扩铜,仅能观察到更多还原

【关键词】束缚激子；淬火过程；热处理条件；光致发光谱；库仑场；复合发光；霍尔系数；等电子中心；固体物理；光学性质；

【文献出处】红外研究 , 编辑部邮箱 ,1984年04期

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