Hg_1-xCd_xTeMOS结构的低温电反射研究

【摘要】 <正> Hg_1-xCd_xTe的可见光穿透深度只有500（?）左右,所以用调制光谱来研究这种材料的表面是一种很有效的方法。由于MOS器件比较难做,目前Hg_1-xCd_xTe电反射一般在室温电解液中进行。材料在电解液中容易与电解液发生作用,另外电解液中不能进行低温实验。MOS器件则比较稳定,它没有化学势弛豫等其他一些因素的影响。我们采用Hg_1-xCd_xTeMOS技术,研究了低温（79K）和室温下不同表面处理及不同介质膜的电反射谱,得到了一更多还原