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SiCl4-GeCl4-O2系统的多相平衡和对于掺杂SiO2的MCVD过程锗分布关系

HETEROGENEOUS EQUILIBRIA IN THE SYSTEM SiCl4-GeCl4-O2 AND THEIR RELATION TO Ge-DISTRIBUTION IN DOPED SiO2 MCVD PROCESS

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【作者】 严一民; 郭祝崑; 张英华;

【Author】 Yan Yimin Guo Zhukun Zhang Yinghua(Shanghai Institute of Ceramics, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院上海硅酸盐研究所;

【摘要】 本文叙述SiCl1-GeCl4-O2系统多相平衡的计算结果。作出GeO2-SiO2相图和含Ge分子的浓度分布图,并讨论了MCVD掺杂SiO2光纤的锗产率。

【Abstract】 This paper deals with the results of computer calculation of heterogeneous equilibria in the system SiCl4-GeCl4-O2. Phase diagram of binary system GeO2-SiO2 and plots of the concentration of Ge-containing species versus temperature are constructed. The approaches to increasing the yield of germanium in the doped silica fiber of MCVD process are therefrom discussed.

  • 【文献出处】 硅酸盐学报 ,Journal of The Chinese Ceramic Society , 编辑部邮箱 ,1984年04期
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