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半导体器件计算机模拟的物理模型

Modelling Hierarchy for Simulation of Semiconductor Devices

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【作者】 孙建平;

【Author】 Sun Jianping (Nanjing Solid State Devices Research Institute)

【机构】 南京闹体器件研究所;

【摘要】 本文分析评述半导体器件计算机模拟所使用的各等级物理模型,比较、阐明它们的基本假设和适用范围,并提出合理使用这些模型的指导性原则。

【Abstract】 The hierarchical models for computer simulation of semiconductor devices are reviewed. A comparison is given to clarify the fundamental assumptions and the applicability of these different models. A guidline is also proposed for the proper use with these models.

  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1984年03期
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