节点文献

掺Fe-InP单晶电阻率的估算和几个有关的问题

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 叶式中； 刘巽琅； 柴喜云； 焦景华； 赵健群； 曹惠梅； 孙文荣；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文分析了Fe在InP晶体中的补偿过程,其中存在着一个从低阻N型半导体向半绝缘体过渡的过程。对掺Fe-InP晶体的电阻率ρ与掺入的Fe的重量百分比Fewt/。之间的关系作了粗略的定量计算。电阻率的计算值与实验值之间在一个数量级以内是相符合的。讨论了掺Fe-InP晶体电阻率的极大值和高阻晶体导电型号等几个有关的问题.

【关键词】 电阻率分布； Fe-InP； 低阻； 补偿过程； 半绝缘体； 体电阻率； 高阻； 重量百分比； 掺入量； 受主浓度；
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】52
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)