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赝弱相位物体近似的象衬
【摘要】 <正> 按照赝弱相位物体成象原理,若把晶体分成n+1个相同的薄晶片,则在最佳欠焦条件下的象强度为: I(?)11(X,y)=1-2σφn+1(x,y)φn+1(x,y)为赝弱相位物体一个晶片的电势分布投影。本文以氯代酞青铜为例,计算了赝弱相位物体近似条件下,电子束沿(001)方向入射时,各种原子中心位置象强度随晶体厚度的变化,并与多层法(2)计算结果相比较,说明赝弱相位物体近似的适用范围。在计算中,原子的电子散射因子数值用六参数解析式拟合。其傅里叶变换是每个晶片沿电子束入射方向的电势分布投影,表达为三个高斯函数之和,并引用高斯函数形光栏函数。计算结果示于图1。图2为用多层法
- 【文献出处】 电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,1984年04期
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