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硅栅等平面CMOS集成电路设计规则的研究及应用  
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【英文篇名】 An Investigation and application of Si-gate LOCOS CMOS Design Rules
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【作者】 童勤义; 唐国洪; 陈德英; 庄庆德;
【英文作者】 Tong Qinyi Tang Guahong Chen Deying Zhuang Qingde Research Institute of Electronics;
【作者单位】 南京工学院无线电电子学研究所;
【文献出处】 南京工学院学报 , , 编辑部邮箱 1984年 03期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【摘要】 本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给出其几何及电学设计规则的典型值以及根据此规则试制成功的CMOS环形振荡器、D触发器、运算放大器等集成电路的典型特性。最后,本文还建议了设计CMOS电路应采用的标准颜色及符号。
【英文摘要】 Based on the theory of NMOS design rules developed by Mead and Conway and CMOS features, concept of mixed design rules and its applications in Si-gate LOCOS CMOS technology are proposed. The typical geometrical and electrical parameters of the mixed design rules re given in this paper. The typical characteristics of CMOS ring oscillators, D-type flip/flops and operational amplifiers designed according to the mentioned rules are also described. Finally, standard colours and graphic representations for CMOS l...
【更新日期】 2006-10-01
【正文快照】 一、引言 半导体集成电路,由于其姆高的性能价格比,因而,长时间内一直以平均每年集成度增加约一倍的速度发展(称为“莫尔定律”〔”)。其主要的因素是随着工艺水平的提高,器件最小尺寸大幅度减小。最近十年(1970一1980)中,集成电路芯片尺寸仅增大60%,而集成的器件数目却增加了?

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