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Ga-In-P三元相图的计算及GaxIn1-xP-GaAs液相外延

Calculation of Ga-In-P Phase Diagram and GaxIn1-xP-GaAs Liquid Phase Epitaxy

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【作者】 虞丽生； 刘宏勋； 陈娓兮； 吴镭； 孙毅； 何晖；

【Author】 Yu Lisheng, Liu Hongxun, Chen Weixi, Wu Lei, Sun Yi, He HuiDepartment of Physics

【机构】 北京大学物理系； 北京大学物理系；

【摘要】 在生长温度及组分附近对Ga-In-P相图进行了细致的计算。在GaAs（100）衬底上获得了GaxIn1-xP单晶层。组分由电子探针确定X～0.45—0.55

【Abstract】 Detailed Ga-In-P phase diagram was numerically calculated in the range near growth temperature and composition. GaxIn1-xP monocrystal layers were formed on the GaAs (100) substrate by LPE method. The composition was determined by electron probe x-0.45-0.55.

【关键词】 液相外延； Ga-In-P； Ga_xIn； x)P-GaAs； 三元相图； 电子探针； 异质结激光器； 半导体激光器； 晶层； 规则溶液；
  • 【文献出处】 北京大学学报(自然科学版) ,Acta Scicentiarum Naturalum Universitis Pekinesis , 编辑部邮箱 ,1984年02期
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