节点文献

静压下GaP的拉曼散射

Raman Scattering of GaP under Hydrostatic Pressure

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 李国华赵学恕韩和相汪兆平唐汝明胡敬竹

【Author】 Li Guohua/Institute of Semiconductors. Academia SinicaZhao Xueshu/Institute of Semiconductors. Academia SinicaHan Hexiang/Institute of Semiconductors. Academia SinicaWang Zhaoping/Institute of Semiconductors. Academia SinicaTang Ruming/Institute of Physics, Academia SinicaHu Jingzhu/Institute of Physics, Academia Sinica

【机构】 中国科学院半导体研究所中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所

【摘要】 测量了室温和77K下0-70kb之间GaP的一级拉曼散射谱.根据测得的TO和LO声子的压力系数计算了它们的模式Gr(u|¨)neisen参数.得到室温下γTO和γLO值分别为1.05和0.92;低温值分别为1.01和0.86.

【Abstract】 The first order Raman scattering spectra of GaP at room and 77 K temperatureshave been measured under hydrostatic pressure from O to 70kb.The mode-Gruneisonparameters of TO and LO phonons of GaP have been calculated from the measuredpressure coefficients.The values of γTOLO are 1.05, 0.92 at room temperature, and1.01, 0.86 at 77 K, respectively.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1984年05期
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】19
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络