【摘要】 <正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_1-xAs-GaAs和Ga（1-x）In_xPyAs（1-y）-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_1-xAs（0.2<x<0.4）材料来做可见光激光器的作用区,但由于间接带隙的影响,x值大时发光效率低,波更多还原

【Abstract】 Ga_x In_1-xP epitaxial layers grown on GaAs substrates are obtained by LPE method.The composition is determined by X-ray microprobe x=0.45-0.55.The cathodolumines-cence of epi-layers is observed through SEM.Photoluminescence spectra are measured.更多还原