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非晶态硅氯氢薄膜的光电导

Photoconductivity in a-Si:Cl:H Films

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【作者】 孔光临杨喜荣刘昌灵郑秉茹李禾

【Author】 Kong Guanglin/Institute of Semiconductors,Academia SinicaYang Xirong/Institute of Semiconductors,Academia SinicaLiu Changling/Institute of Semiconductors,Academia SinicaZheng Bingru/Institute of Semiconductors,Academia SinicaLi He/University of Science and Technology of China

【机构】 中国科学院半导体研究所中国科学技术大学

【摘要】 <正> 目前,存在于非晶硅材料中的一个重要问题是其稳定性,氢虽能起饱和悬键或使无规网络软化的作用而使隙态密度降低,但由于它对温度及光照等因素敏感而稳定性差.解决的途径之一是用卤族元素代替氢.a-Si∶F∶H就具有较好的热稳定性.SiCl4是比SiF4和SiH4都便宜而广泛应用于半导体工业中的物质,采用SiCl4作为原材料的a-Si∶Cl∶H的研究更具有实际意义.我们曾在早期的文章中发表了对a-Si∶Cl∶H的初步研究结果,本文报道我们对a-Si∶Cl∶H的光电导的研究结果.

【Abstract】 The photoconductivity spectra of a-Si:Cl:H films under photon energies of 1.0 to 2.4eV are investigated.It is found that the Fermi level E_f shifts downward with the increaseof chlorine content in the films.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1984年03期
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