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由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性

Analysis of Deep Level in HgCdTe by Temperature Dependence of Capacitance

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【Author】 Fei-Ming Tong/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia SinicaYang Xiuzhen/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia SinicaWang Rongxing/Shanghai Institute of Technical Physics, Academia Sinica

【机构】中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院上海技术物理研究所；

【摘要】本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_1-xCdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.更多还原

【Abstract】 An experimental study of deep level in HgCdTe is reported.Measurements were carriedout on Hgl_1-xCd_xTe Photodiodes with alloy compositions between x=0.21 and x=0.28.The activation energy and density of traps are evaluated through the temperature depen-denee of P-N junction capacitance.更多还原

【关键词】深能级； HgCdTe；空穴陷阱；激活能；子注；俘获截面；半导体学报；导纳电桥；引吉；红外探测器；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1984年03期

【被引频次】4
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