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自控刻蚀保护膜引线孔的方法

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【作者】 刘济民； 郭增权； 李大虹；

【机构】 中国科学院半导体所； 中国科学院半导体所；

【摘要】 <正>在半导体器件生产中为提高器件的可靠性,避免工艺中划伤铝膜,以致影响划片后管芯成品率,可在刻铝后先淀积一层SiO2保护膜.当在铝引线上淀积SiO2保护膜后,必须解决保护膜引线孔的刻蚀问题.通常对SiO2膜的刻蚀基本分两类:一是液相化学腐蚀,一是等

【关键词】 离子刻蚀； 半导体器件； 淀积； 划伤； 划片； 管芯； 化学腐蚀； 腐蚀条件； 压点； 多层布线；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1984年06期
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