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用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用

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【作者】 陈庆贵； 宋志庆； 史日华； 蔡希介；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 设计制造了硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置.它具有氢气纯度高、密封性好、流量调节范围大等优点,并能进行N型掺杂或P型掺杂的外延膜生长.实验表明,既适用于同质薄层外延,也适合于异质薄层外延.

【关键词】 外延层； 氢气纯度； 四氯化硅； 流量调节； 外延膜； 不锈钢管； 异质外延； 外延生长； 沉积法； 硅表面；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1984年05期
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