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中子辐照和掺杂区熔硅的DLTS缺陷和少子寿命

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【作者】 孟祥提； 张秉忠； 杜永昌； 张玉峰；

【机构】 清华大学核能所； 北京大学物理系； 北京大学物理系；

【摘要】 本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退火的影响,并作了讨论.

【关键词】 中子辐照； DLTS； 区熔； 少子； 等时退火； 退火温度； 退火过程； 深能级； 成晶； 双空位；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1984年03期
  • 【被引频次】1
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