硅单晶片的SiO₂抛光

【摘要】 <正> 本世纪六十年代中期前半导体基片抛光还大都沿用机械抛光,例如氧化镁、氧化锆、纯氧化铬等方法,得到的镜面表面损伤是极其严重的.1965年Walsh和Herzog提出SiO₂溶胶（Silica sol）和凝胶（Silica gel）抛光后,以二氧化硅为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替旧方法,目前国外最先进的硅片生产线均使用二氧化硅抛光方法.二硅化硅溶胶或凝胶抛光液的基本形式是由一个SiO₂抛光剂和一个碱性组份水溶液组成.SiO₂颗粒要求范围为10～150毫微米,碱性组成一般使用NaOH、氨或有机胺,pH值为9.5～11.0.SiO₂浓度为1.5%～50%.更多还原