激光诱导扩散研制短波响应灵敏的硅光电探测器

【摘要】 <正> 普通的硅光电管,对红光和近红外光的响应度和稳定性方面显示了极大的优越性。但是它对于紫光和近紫外光的响应却很微弱。分析其原因可归结为:首先,硅的吸收系数大(4000（?）时约10⁵cm^-1),短波光大部分在硅表面而不是在PN结区被吸收;其次,PN结深度太大（一般约2000（?）以上）;此外,表面复合和扩散杂质表面浓度大,使扩散层缺陷多造成光生载流子复合损失大;最后,硅的表面反射系数大（4000（?）时约50%）。为了使得硅光电探测器在绿、兰、紫和近紫外区有较好的响应度,则要求这种结型光电器件的结做得非常浅,扩散杂质的表面浓度尽量低,使所谓“死区”尽可能薄。而常规的扩散工艺是难以实现的。本文报导采用激光诱导扩散的新技术研制短更多还原