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掺Si-GaAs的局域振动模吸收

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【作者】 孙伯康； 张泽华； 宋春英； 许振嘉；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文研究了用Li饱和补偿的掺Si-GaAs的局域振动模（LVM）吸收,讨论了所观察到的LVM吸收带的由来,特别是将其中位于393.4cm（-1）和388.6cm（-1）处的两个吸收带试验性地归因于29SiAs和30SiAs这两种缺陷,估算了对主要缺陷SiGa和SiAs负责的LVM吸收带的红外吸收截面。

【关键词】 振动模； Si-GaAs； 吸收带； 同位素移动； 电子浓度； 吸收截面； 局域模； 积分吸收； 替位杂质； 光致发光；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1983年02期
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