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计算Ⅲ—Ⅴ族三元和四元混晶晶格常数的一个经验公式

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【作者】 龚秀英； 高风升；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文利用Ⅲ—Ⅴ族化合物的电负性差对晶格常数作图的办法,给出了计算混晶晶格常数的一个经验公式,计算结果与内插法算得的数据是符合的。

【关键词】 晶格常数； 经验公式； 混晶； 内插法； 禁带； 晶格匹配； 组分数； 相应点； 备中； 异质结；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1983年01期
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