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退火对铌酸锂晶体电光性能的影响

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【作者】 李瑞镛； 冯建森； 陈息良；

【机构】 上海市激光技术研究所； 上海市激光技术研究所；

【摘要】 铌酸锂晶体加工过程中产生的内应力使其变为双轴晶,并引起电光感应轴的偏离。本文分析了感应轴偏离对组合调制器性能的影响.应用退火工艺可以消除铌酸锂晶体感应轴的偏离,提高了组合调制器的电光性能。

【关键词】 铌酸锂晶体； 半波； 退火工艺； 轴偏； 消光比； 出射光； 折射率椭球； 调制特性； 透过率； 检偏器；
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