用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布

【摘要】 将能量为150KeV、剂量为10¹⁴～17¹⁷/cm²的砷离子注入（100）P型单晶硅,用～1.8MeV的He⁺束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10⁶离子/cm²时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。更多还原