激光退火的机理

【摘要】 近几年来,半导体材料的激光退火引起人们很大兴趣,这是因为较之常规的热退火,激光退火有它独特的优点,即空间上的局域性和时间上的短暂性.离子注入后的半导体都伴有晶格损伤,使用常规的热退火来消除损伤,同时使注入杂质电激活,需要较高温度(～1000°C)和较长时间(～30 min)的热处理,这就使表面层遭到沾污,基底材料由于长时间加热而电学参数变坏,而且有时并不能完全消除损伤.激光退火可以克服这些缺点,它不仅能够完全消除晶格损伤,还可获得较高的电激活率,适当选择激光的输出方式和功率可以完全消除杂质的再分布.用激光辐照表面涂有杂质源的半导体材料,能够使杂质向体内扩散而制成p-n结,还能使金属和半导体材料更多还原