辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究

【摘要】 一、引 言 非晶态硅(a-Si)太阳能电池的研究,是近几年来世界上引人注目的一个重要课题.主要原因是a-si材料成本低,而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能,如在太阳光谱峰值附近,a-Si的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级.早在1976年,就有人制得了能量转换效率高达5.5%的a-Si太阳能电池[1]。 目前制备a-Si膜最常用的是辉光放电法.我们对用此法如何制备具有优良光响应特性的掺氢非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了探讨.一般认为,a-Si:H薄膜的电子性质在广泛的范围内是制备工艺参数的函数[2].因此,我们在现有的实验室条件下,对a-Si:H薄膜的光电导率(～)、暗电导率(。n)更多还原