并联反馈偏置电路的正交设计

【摘要】 一、前言 在电子线路中,温度对于晶体管的电流放大倍数β、基极─—发射极电压Vbe、集电极-发射极间穿透电流Iceo等参数的影响很大。通常在分析电路时,必须考虑环境温度对静态工作点的严重影响。在设计时,要保证在整个工作范围内,电路性能稳定不变。其中晶体管静态工作点的稳定就是最基本的问题之一。这就是晶体管稳定偏置电路的参数设计问题。 通常采用的晶体管单管稳定偏置电路,如图1、图2所示。其中图1的电路参数Rc、Ra、Pb、Re、β、Vbe、Iceo及电源电压Eo与晶体管工作电流Ic、管压降Vce的关系,在Ib=0的条件下,可以近似地得出简单的关系式。因此在传统的参数设计中,根据给定的Ee、Ic和Vc更多还原