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高速低功耗的TMM4164C型64KRAM
【摘要】 <正> 金属-氧化物-半导体动态随机存取存储器,自1970年1KRAM达到实用化以来,其容量以每三年翻两番的增长速度向大容量发展。目前,大量生产16KRAM,同时竟先展开64KRAM的激烈研制工作。此外,从大型计算机至微型计算机对16KRAM的需要量成指数函数增加。
- 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,1983年03期
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【摘要】 <正> 金属-氧化物-半导体动态随机存取存储器,自1970年1KRAM达到实用化以来,其容量以每三年翻两番的增长速度向大容量发展。目前,大量生产16KRAM,同时竟先展开64KRAM的激烈研制工作。此外,从大型计算机至微型计算机对16KRAM的需要量成指数函数增加。