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气压在由SiH4淀积多晶硅时的作用

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【作者】 李星文； 王英民；

【机构】 河北大学电子系； 河北大学电子系；

【摘要】 对由SiH4淀积多晶硅的质量输运过程进行动力学分析,建立了完整的淀积模型和速率表达式,并由该式讨论了气压对淀积速率和表观激活能的影响。指出,从常压至数乇,随气压降低淀积速率提高,表观激活能降低。特别设计了突出气压影响的实验,实验结果支持理论分析的结论。还讨论了气压降低对淀积质量的影响。

【关键词】 淀积； SiH4； 激活能； 动力学分析； 理论分析； 反应室； 气相扩散； LPCVD； 总压强； 表面过程；
  • 【文献出处】 河北大学学报(自然科学版) ,Journal of Hebei University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,1983年01期
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