节点文献

高精度集成运放低漂移性能的研究

A Study of Low Drift in High Precision IC Operational Amplifier

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 陈金松

【Author】 Chen Jin-song (China University of Science and Technology).

【机构】 中国科学技术大学

【摘要】 本文对以超β管为输入级的集成运放的温漂进行了较为详细的计算,认为在设计高精度底漂移集成运放时,除考虑输入级温漂外,还应考虑第二级温漂的影响。据此研制成功了高精度低漂移集成运放KD207,其开环电压增益Ado可达130dB以上;GMRR在120dB左右;输入失调电压温漂优值可达0.5μV/°C以下。

【Abstract】 The calculations of the offset voltage drift of integrated circuit operational amplifier using super-* transistor as the input stage are made. In addition to the offset voltage drift of the first stage, the drift contributions of the second stage should also be taken into consideration when designing the high precision low drift IC operational amplifer. Based on this recognition, KD207 is developed.The circuit achieves open loop voltage gains of over 130 dB, common mode rejection ratio of about 120 dB, and offset voltage drift of less than 0.5uuuV/CCC (optimum).

  • 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1983年02期
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】81
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络