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可控硅整流装置设计中的电流容量与涡流损耗问题的探讨

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【作者】 李学郛; 徐森昌; 阙家桢;

【机构】 上海整流器厂; 上海互感器厂;

【摘要】 可控硅整流装置由于负载条件的变化,尤其在深控情况下,使交流电流有效值增加,因此直流电流的容许位必须予以限制;又因交流电流的谐波随换相重叠角而变化,故使变压器绕组中的涡流损和结构件中的杂散损均有所增加。本文根据电路及电流波形,探讨其计算方法,从而得出三相和单相桥的直流降容曲线、涡流损增量曲线和杂散损增量曲线,可供设计和使用者参考。

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