【摘要】 我们对不同的晶态硅样品,进行高剂量(1×10¹⁴—1×10¹⁶cm^-2)的离子注入,采用不同的离子源（B,P,A_s）和不同的注入能量（60—100kev）,最终形成非晶态层。 文章给出激光辐照使a—S_i向c—S_i发生结构转变的观测结果。 文中还对不同形式样品的c—v实验曲线进行讨论。更多还原

【Abstract】 The present paper deals with the high dose(1×1014-1×1016cm-2) ion implantation,using various ion soures(P,As,B) and various implantation energy(60-100kev),as applied different samples of crystalline silicon.Non-crystalline layers are finally formed.The transformation of amorphous silicon to crystal silicon through Laser irradiation is observed.The experimental C-V curves for samples of different forms are discussed更多还原