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光荧光法测定硅中磷、硼含量

Measurement of Boron and Phosphorus Content in Silicon by Photoluminescence Technique

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【作者】 孟庆惠； 于鲲； 李永康； 许振嘉； 陈廷杰； 吴灵犀； 徐寿定；

【Author】 Meng Qinghui/Institute of Physics, Academia SinicaYu Kun/Institute of Physics, Academia SinicaLi Yongkang/Institute of Physics, Academia SinicaXu Zhenjia/Institute of Semiconductors, Academia SinicaChen Tingjie/Institute of Semiconductors, Academia SinicaWu Lingxi/Institute of Semiconductors, Academia SinicaXu Shouding/Institute of Semiconductors, Academia Sinica

【机构】 中国科学院物理研究所； 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所；

【摘要】 本文介绍了用液氮温度光荧光谱测定硅中磷、硼含量的方法.磷、硼浓度的校准曲线由变温霍耳系数的实验结果所确定.

【Abstract】 A method to measure boron and phosphorus content in Si using photoluminescencetechnique at liquid helium temperature is reported.The tentative calibration curvesfor P and B of this method are obtained by comparison with the result of the tempera-ture dependence of the Hall coefficient.

【关键词】 荧光法测定； 校准曲线； 液氮温度； 荧光谱； 杂质能级； 实验点； 验证工作； 空间分辨率； 液氦温度； 非破坏性；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1983年01期
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