真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响

【摘要】 <正>由于有些氧化物半导体,如ZnO、In₂O₃、SnO₂、ITO（铟锡氧化物）具有透明导电的性质,它们的应用也越来越广泛。例如,在太阳电池中用做透明导电电极,或作电池的顶层材料形成SIS（半导体-绝缘体-半导体）电池及作抗反射层等。但一般的纯氧化物半导体电阻很大,所以用于上述情况时,必须要经过掺杂或还原等处理,降低电阻率才能使用。为此,对SnO₂、In₂O₃、ITO以及ZnO已有很多制备方法及掺杂等处理的研究报导,并已制成1×10^-4Ω·cm左右的薄膜材料。但用化学喷涂热解法制备ZnO薄膜的报导较少。最近,J.Aranovich等人用喷涂法制备了ZnO薄膜,并用氢气还原法把电阻率降低到10^-3Ω·cm左右。更多还原