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MOS管阈值电压的理论修正
【摘要】 <正>在LSI和VLSI电路中,由于MOS管沟道长度的缩短,就产生了短沟道效应: 1.耐压降低; 2.阈值电压|V_T|下降。 但是无论在PMOS电路的PLA设计中,还是在一些混合门中的负载管上,以及在NMOS电路中,长沟道的晶体管还必须应用,既使在CMOS电路中,有的MOS管子的沟道长度竟达1000μm。我们认为在MOS管中存在着“沟道电阻效应”:
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1983年03期
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