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肖特基高速四D触发器的设计与制造

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【作者】 方侠海;

【机构】 常州半导体厂;

【摘要】 本文叙述肖特基高速四D触发器的设计与制造。采用肖特基箝位抗饱和技术及薄外延、对通隔离、浅结扩散、窄条光刻与深磷扩散等工艺,使T3175获得较好性能:最高计数频率大于75MHz,时钟脉冲传输延迟7~8ns。其交直流参数均达到Texas“S”系列同类品SN74S175水平。首批试制获得10%总成品率,表明设计与制造工艺适于批量生产。

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1983年03期
  • 【被引频次】1
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