硅平面器件制造中锈生缺陷与发射区陷落效应

【摘要】 通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落效应”不仅与发射区杂质扩散的表面浓度,扩散时间及基区结深有关,而且与器件制造工艺过程中诱生缺陷,特别是与氧化杆状层错及微缺陷有关。文章探讨了诱生缺陷对这种效应影响的物理机构。提出了消除这种效应的方法。更多还原