氧等离子体条件下GaAs的阳极自体氧化

【摘要】 本文实验装置使用1.5～2MHz高频振荡器,在低氧压下辉光放电产生氧等离子体对GaAs进行自体氧化。观察了高频电场、阳极偏压、加热温度等条件对氧化速度、氧化物均匀性等的影响,分析了氧化物的结构与组成及电性能,园满地制备出大面积GaAs自体氧化物。 所用GaAs样品为:n型<100>晶向,N_d≈10¹⁷cm^-3,φ35圆片。晶片由机械-化学抛光后溶剂脱蜡,再用H₂SO₄:H₂O₂:H₂O=4:1:1（体积）溶液腐蚀,冷、热去离子水漂洗。 在阳极偏压+45V,加热温度170℃时氧化速度为120[A/分],氧化物折射率为1.83～1.85（波长6328A）,电阻率大于10¹⁵Ω·cm,击穿电场强度 为±10⁶V·cm^-1,给出了MOS C-V,I-V特性,电子衍射图和俄歇电子能谱分析结果。更多还原