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中子掺杂硅单晶的放射性强度

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【作者】 施永长； 孟昭利； 董铎；

【机构】 清华大学核能技术研究所； 清华大学核能技术研究所；

【摘要】 <正> 用反应堆辐照单晶硅进行中子掺杂,人们对辐照后的放射性水平极为关切。我们利用FELIXC-512计算机进行了数值计算。其结果与实验数据符合较好。我们将放射性强度与辐照中几个主要参量的关系列表给出,便于查找、制定辐照工艺及了解产品性能。单晶硅中子掺杂主要核过程为:

【关键词】 硅单晶； 放射性水平； 主要参量； 产品性能； 数值计算； 实验数据； 辐照时间； 优试； 差分方法； 光滑过渡；
  • 【文献出处】 原子能科学技术 ,Atomic Energy Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1982年01期
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