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LiNbO3的反应离子刻蚀
【摘要】 介绍了在含有CCl2F2,CF4,O2和Ar的混合气体中的LiNbO3反应离子刻蚀。讨论了总压强为1—10微米时强气体组分和压强的影响。它有可能在控制刻蚀剖面的情况下复制精细图案（～2000埃）,所以可望用来制作电光和声光器件中LiNbO3上的三维图案。
- 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,1982年01期
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【摘要】 介绍了在含有CCl2F2,CF4,O2和Ar的混合气体中的LiNbO3反应离子刻蚀。讨论了总压强为1—10微米时强气体组分和压强的影响。它有可能在控制刻蚀剖面的情况下复制精细图案（～2000埃）,所以可望用来制作电光和声光器件中LiNbO3上的三维图案。