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喷涂热解法制备黄铜矿结构的AglnS2薄膜

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【作者】 李培德； 王福善；

【机构】 中国科学院长春应用化学研究所； 中国科学院长春应用化学研究所；

【摘要】 <正> AgInS2为Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体化合物,它的室温禁带宽度为1.9eV。近年来对Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物的研究日益深入,探索AgInS2作为光伏转换材料,以及它与其它Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物形成多元固溶体光伏转换材料的研究工作也正在进行。Gorska等报道了喷涂热解AgInS2和AgIn5S8薄膜的结果,但没有获得所需要的黄铜矿结构的AgInS2,而得到了正交结

【关键词】 AglnS2； Ⅲ-Ⅵ族半导体； 化合物形成； 无定形结构； 热解法； 多元固溶体； 禁带； 曲线表； 电学性质； 基板；
  • 【文献出处】 太阳能学报 ,Acta Energiae Solaris Sinica , 编辑部邮箱 ,1982年04期
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